CVD工藝氣體傳輸控制柜
薄膜沉積、光刻、刻蝕三大工藝是最關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，CVD工藝氣體傳輸控制柜是化學(xué)氣相沉積（CVD-chemical vapor deposition）工藝中不可或缺的一部分，主要用于精確控制特種氣體的傳輸和供應(yīng)，確保CVD過(guò)程中的氣體純度、穩(wěn)定性和安全性。
咨詢專家
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產(chǎn)品特點(diǎn)
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產(chǎn)品參數(shù)
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質(zhì)量管理
產(chǎn)品特點(diǎn)
高精度流量控制
通過(guò)精確的閥門系統(tǒng)和流量控制器，實(shí)現(xiàn)對(duì)特種氣體的精確傳輸和控制，確保氣體流量、壓力等參數(shù)的穩(wěn)定性
安全穩(wěn)定性
氣柜配有門互鎖開關(guān)、壓力安全開關(guān)、單向閥、火焰報(bào)警器等安全部件保證氣柜安全。同時(shí)，設(shè)備采用防爆、防腐等設(shè)計(jì)，提高了設(shè)備的安全性能
高氣密性
產(chǎn)品采用IGS和VCR接口形式實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體設(shè)備的高氣密性
高潔凈度
采用高精度過(guò)濾器能夠去除3nm以上的顆粒雜質(zhì)
安全認(rèn)證
通過(guò)SEMI S6測(cè)試安全認(rèn)證
產(chǎn)品參數(shù)
| 外漏測(cè)試漏率 | ≤1.0X10-11/mbar·L/s |
| 內(nèi)漏測(cè)試漏率 | ≤1.0X10-9/mbar·L/s |
| 保壓測(cè)試50psi | 氮?dú)獗簻y(cè)試, 保壓12h,壓降 ≤1% |
| 氦爆測(cè)試漏率 | ≤1.0X10-9/mbar·L/s;（可選） |
| 顆粒測(cè)試 | (5 particle @ >0.1um) |
| 水氧測(cè)試 | 水含量≤10PPB，氧含量≤10PPB；（可選） |
質(zhì)量管理
富創(chuàng)質(zhì)量管理秉承"好的質(zhì)量是設(shè)計(jì)、制造出來(lái)的"為原則,關(guān)注客戶端到端的質(zhì)量服務(wù),從研發(fā)、設(shè)計(jì)、過(guò)程全生命周期質(zhì)量管理關(guān)注各環(huán)節(jié)中入口質(zhì)量、過(guò)程質(zhì)量、出口質(zhì)量,以保證整體質(zhì)量可控,最終構(gòu)建成以以預(yù)防為主的質(zhì)量文化,助力客戶產(chǎn)品更具競(jìng)爭(zhēng)力。
